IRF3205

IRF3205, 98a, 55v, 150w,transistor Mosfet Canal lote de 60 unidades

$90.000

Descripción

TIPO	DESCRIPCIÓN	SELECCIONAR
Categoría	Productos semiconductores discretosFET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Paquete	Tubo
Product Status	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 62A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3247 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF3205

Transistor Mosfet IRF3205, 110A, 55V, 150W, Canal N

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet. Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología avanzada de procesos
Ultra bajo en resistencia
Valor dinámico dV / dt
150 °C Temperatura de funcionamiento
Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica:
Polaridad : Canal N
Voltaje drenaje-fuente Vds: 55 V
Voltaje Vgs de medición Rds(on): 10V
Voltaje Umbral Vgs: 2.1 V
Corriente drenador continua Id: 110A.
Disipación de potencia Pd: 150 W
Resistencia de activación Rds(on): 0.008 Ohm
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Número de Pines: 3

Reemplazo : IRFZ46, IRFZ48, 50N06
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